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UPD442012AGY-BB70X-MJH

MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features • 131,072 words by 16 bits organization • Fast access time : 50, 55, 70, 85 ns (MAX.) • Byte data control : /LB (I/O1 - I/O8), /UB (I/O9 - I/O16) • Low voltage operation (BB version : VCC = 2.7 to 3.6 V, BC version : VCC = 2.2 to 3.6 V) • Low VCC data retention : 1.0 V (MIN.) • Ope

文件:757.35 Kbytes 页数:26 Pages

RENESAS

瑞萨

UPD442012AGY-BB70X-MJH

2M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION

文件:148.83 Kbytes 页数:24 Pages

NEC

瑞萨

UPD442012AGY-BB70X-MJH-A

MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features • 131,072 words by 16 bits organization • Fast access time : 50, 55, 70, 85 ns (MAX.) • Byte data control : /LB (I/O1 - I/O8), /UB (I/O9 - I/O16) • Low voltage operation (BB version : VCC = 2.7 to 3.6 V, BC version : VCC = 2.2 to 3.6 V) • Low VCC data retention : 1.0 V (MIN.) • Ope

文件:757.35 Kbytes 页数:26 Pages

RENESAS

瑞萨

UPD44324182BF5-E40-FQ1

NEC
BGA

UPD5713TK-E2-A

RENESAS
SOT563

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

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更多UPD442012AGY-BB70X-MJH供应商 更新时间2025-10-11 16:01:00