UPD442012AGY-BB70X-MJH-A规格书应用电路原装现货-114ic电子网

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UPD442012AGY-BB70X-MJH-A	文件：757.35 Kbytes Page：26 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features • 131,072 words by 16 bits organization • Fast access time : 50, 55, 70, 85 ns (MAX.) • Byte data control : /LB (I/O1 - I/O8), /UB (I/O9 - I/O16) • Low voltage operation (BB version : VCC = 2.7 to 3.6 V, BC version : VCC = 2.2 to 3.6 V) • Low VCC data retention : 1.0 V (MIN.) • Ope 文件：757.35 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD442012AGY-BB70X-MJH	文件：757.35 Kbytes Page：26 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT Features • 131,072 words by 16 bits organization • Fast access time : 50, 55, 70, 85 ns (MAX.) • Byte data control : /LB (I/O1 - I/O8), /UB (I/O9 - I/O16) • Low voltage operation (BB version : VCC = 2.7 to 3.6 V, BC version : VCC = 2.2 to 3.6 V) • Low VCC data retention : 1.0 V (MIN.) • Ope 文件：757.35 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD442012AGY-BB70X-MJH	文件：148.83 Kbytes Page：24 Pages	2M-BIT CMOS STATIC RAM 128K-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION 文件：148.83 Kbytes 页数：24 Pages	NEC 瑞萨	NEC
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UPD5713TK-E2-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS SOT563	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

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