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UPD44165362BF5-E50-EQ3-A	文件：464.51 Kbytes Page：37 Pages	18M-BIT QDRTM II SRAM 2-WORD BURST OPERATION Features •1.8±0.1Vpowersupply •165-pinPLASTICBGA(13x15) •HSTLinterface •PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling •Separateindependentreadandwritedataportswithconcurrenttransactions •100busutilizationDDRREADandWRITEoperation	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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18M-BIT QDRTM II SRAM 2-WORD BURST OPERATION

Features •1.8±0.1Vpowersupply •165-pinPLASTICBGA(13x15) •HSTLinterface •PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling •Separateindependentreadandwritedataportswithconcurrenttransactions •100busutilizationDDRREADandWRITEoperation

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