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UPD431000AGW-70L	文件：227.57 Kbytes Page：32 Pages	1M-BITCMOSSTATICRAM128K-WORDBY8-BIT SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
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UPD431000AGW-70LL	文件：227.57 Kbytes Page：32 Pages	1M-BITCMOSSTATICRAM128K-WORDBY8-BIT SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPD431000AGW-70X	文件：211.06 Kbytes Page：28 Pages	1M-BITCMOSSTATICRAM128K-WORDBY8-BITEXTENDEDTEMPERATUREOPERATION	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPD431000AGW-70X	文件：772.11 Kbytes Page：26 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT Features •131,072wordsby8bitsorganization •Fastaccesstime:70,85,100,120,150ns(MAX.) •Lowvoltageoperation(Aversion:VCC=3.0to5.5V,Bversion:VCC=2.7to5.5V) •Operatingambienttemperature:TA=–25to+85°C •LowVCCdataretention:2.0V(MIN.) •OutputEnabl	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD431000AGW-70X-A	文件：772.11 Kbytes Page：26 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT Features •131,072wordsby8bitsorganization •Fastaccesstime:70,85,100,120,150ns(MAX.) •Lowvoltageoperation(Aversion:VCC=3.0to5.5V,Bversion:VCC=2.7to5.5V) •Operatingambienttemperature:TA=–25to+85°C •LowVCCdataretention:2.0V(MIN.) •OutputEnabl	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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