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UPD168118B	文件：482.4 Kbytes Page：35 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Seven H-bridge circuits employing power MOS FET • Low-voltage driving VDD = 2.7 to 3.6 V VM = 2.7 to 5.5 V • Output on-state resistance: 1.5 Ω TYP., 2.0 Ω MAX. (sum of top and bottom stages, ch1 to ch6) 1.0 Ω TYP., 1.5 Ω MAX. (sum of top and bottom stages, ch7) • PWM output (ch1 文件：482.4 Kbytes 页数：35 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD168118BFC-AA1-E1-A	文件：482.4 Kbytes Page：35 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Seven H-bridge circuits employing power MOS FET • Low-voltage driving VDD = 2.7 to 3.6 V VM = 2.7 to 5.5 V • Output on-state resistance: 1.5 Ω TYP., 2.0 Ω MAX. (sum of top and bottom stages, ch1 to ch6) 1.0 Ω TYP., 1.5 Ω MAX. (sum of top and bottom stages, ch7) • PWM output (ch1 文件：482.4 Kbytes 页数：35 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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