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UPD16650	文件：62.41 Kbytes Page：12 Pages	120-/128-OUTPUT TFT-LCD GATE DRIVER [NEC] SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE 文件：62.41 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD16650	文件：192.6 Kbytes Page：14 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Output with high dielectric strength (on/off range: VDD - VEE1 = 40 VMAX.) • Built-in shift direction change-over function • Shiftable negative supply voltage (VEE1) level (shift range: \|VEE1 - VEE2\| = 10 V) • Two acceptable CMOS input levels (3.3 and 5 V) • Output enable function 文件：192.6 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD16650	文件：300 bytes Page：1 Pages	120-/128-OUTPUT TFT-LCD GATE DRIVER	Renesas 瑞萨	Renesas
UPD16650N	文件：62.41 Kbytes Page：12 Pages	120-/128-OUTPUT TFT-LCD GATE DRIVER [NEC] SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE 文件：62.41 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD16650N-XXX	文件：192.6 Kbytes Page：14 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Output with high dielectric strength (on/off range: VDD - VEE1 = 40 VMAX.) • Built-in shift direction change-over function • Shiftable negative supply voltage (VEE1) level (shift range: \|VEE1 - VEE2\| = 10 V) • Two acceptable CMOS input levels (3.3 and 5 V) • Output enable function 文件：192.6 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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