120-/128-OUTPUT TFT-LCD GATE DRIVER

[NEC] SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE

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NEC

瑞萨

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Output with high dielectric strength (on/off range: VDD - VEE1 = 40 VMAX.) • Built-in shift direction change-over function • Shiftable negative supply voltage (VEE1) level (shift range: |VEE1 - VEE2| = 10 V) • Two acceptable CMOS input levels (3.3 and 5 V) • Output enable function

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RENESAS

瑞萨

Lithium Ion

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PANASONICBATTERY

松下电器

Silicon Carbide Diode

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WEEN

瑞能半导体

Silicon Carbide Diode

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WEEN

瑞能半导体