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UPD166101	文件：296.97 Kbytes Page：14 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES Builtincurrentlimitandthermalshutdowncircuit. Thermalshutdownwillautomaticallyrestartafter thechanneltemperaturehascooldown. Lowon-stateresistance:RDS(ON)=160mΩ (VIN=5V,IOUT=0.8A,Tch=25°C) Builtindynamicclampcircuit uPD166101:DualchannelLow-s	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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UPD166101GR	文件：399.66 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL LOW SIDE INTELLIGENT POWER DEVICE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD166101GR20	文件：399.66 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL LOW SIDE INTELLIGENT POWER DEVICE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD166101GR-E1-AZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘类别：集成电路（IC）微控制器描述：IC MCU	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

详细参数

型号：
UPD166101
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
N-CHANNEL LOW SIDE INTELLIGENT POWER DEVICE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市芯皇电子有限公司	uPD166101	RENESAS/瑞萨	22+	SOP-8	9000	专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优	询价
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