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UPD16601	文件：98.63 Kbytes Page：13 Pages	MOS Integrated Circuit SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：98.63 Kbytes 页数：13 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD16601	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS Integrated Circuit	Renesas 瑞萨	Renesas
UPD166010	文件：408.85 Kbytes Page：27 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Built-in charge pump • Low on-state resistance • Short-circuit protection - Shutdown by short-circuit detection • Over-temperature protection - Shutdown with auto-restart on cooling • Small multi-chip package: JEDEC 5-pin TO-252 (MSL: 3, profile acc. J-STD-20C) • Built-in diagn 文件：408.85 Kbytes 页数：27 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD166010T1F-E1-AY	文件：408.85 Kbytes Page：27 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Built-in charge pump • Low on-state resistance • Short-circuit protection - Shutdown by short-circuit detection • Over-temperature protection - Shutdown with auto-restart on cooling • Small multi-chip package: JEDEC 5-pin TO-252 (MSL: 3, profile acc. J-STD-20C) • Built-in diagn 文件：408.85 Kbytes 页数：27 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD16601N	文件：98.63 Kbytes Page：13 Pages	MOS Integrated Circuit SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：98.63 Kbytes 页数：13 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD16601N-XXX	文件：98.63 Kbytes Page：13 Pages	MOS Integrated Circuit SEMICONDUCTOR SELECTION GUIDE Microcomputer IC Memory Semi-Custom IC Particular Purpose IC General Purpose Linear IC Transistor / Diode / Thyristor Microwave Device / Consumer Use High Frequency Device Optical Device Packages Index (Quick Reference by Type N 文件：98.63 Kbytes 页数：13 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD166011T1J	文件：211.73 Kbytes Page：28 Pages	INTELLIGENT POWER DEVICE 文件：211.73 Kbytes 页数：28 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD166011T1J-E1-AY	文件：211.73 Kbytes Page：28 Pages	INTELLIGENT POWER DEVICE 文件：211.73 Kbytes 页数：28 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD166013T1J	文件：212.72 Kbytes Page：28 Pages	INTELLIGENT POWER DEVICE 文件：212.72 Kbytes 页数：28 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPD166013T1J-E1-AY	文件：212.72 Kbytes Page：28 Pages	INTELLIGENT POWER DEVICE 文件：212.72 Kbytes 页数：28 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

Nch/Pch：
Nch
Automotive：
YES
Package Type：
HSSOP12
Type：
High side
Channels：
2
RON (mohm) max. @ Tj = 25 °C：
60
RON (mohm) max. @ Tj = 150 °C：
115
Vcc (V) min.：
9
Vcc (V) max.：
16
Vload dump (V)：
40
IL (A) typ.：
2.5
IL(SC) (A)：
21.25
Diagnostic：
Current Sense
ton (μs) max.：
150
toff (μs) max.：
400
Tch (°C) min.：
-40
Tch (°C) max.：
150
Mounting：
SMD
Production Status：
Mass Production

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