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UPD166010T1F-E1-AY	文件：408.85 Kbytes Page：27 Pages	MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Built-inchargepump •Lowon-stateresistance •Short-circuitprotection -Shutdownbyshort-circuitdetection •Over-temperatureprotection -Shutdownwithauto-restartoncooling •Smallmulti-chippackage:JEDEC5-pinTO-252 (MSL:3,profileacc.J-STD-20C) •Built-indiagn	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPD166010T1F-E1-AY

文件：408.85 Kbytes

Page：27 Pages

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES •Built-inchargepump •Lowon-stateresistance •Short-circuitprotection -Shutdownbyshort-circuitdetection •Over-temperatureprotection -Shutdownwithauto-restartoncooling •Smallmulti-chippackage:JEDEC5-pinTO-252 (MSL:3,profileacc.J-STD-20C) •Built-indiagn

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