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UPA814T-T1-A分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
UPA814T-T1-A |
参数属性 | UPA814T-T1-A 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO |
功能描述 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
封装外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
文件大小 |
157.91 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | California Eastern Labs |
企业简称 |
CEL |
中文名称 | California Eastern Labs官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-21 14:50:00 |
人工找货 | UPA814T-T1-A价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
UPA814T-T1-A规格书详情
UPA814T-T1-A属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的UPA814T-T1-A晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号:
UPA814T-T1-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)
- 晶体管类型:
2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
6V
- 频率 - 跃迁:
9GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.5dB @ 2GHz
- 功率 - 最大值:
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 3mA,1V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:
6-SO
- 描述:
RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
DIP-16 |
663300 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
NEC |
2016+ |
DIP16 |
3900 |
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NEC |
23+ |
DIP-16P |
4500 |
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NEC |
2016+ |
DIP16 |
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NEC |
24+ |
SMD |
20000 |
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NEC |
23+ |
DIP-16 |
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询价 | ||
NEC |
23+ |
DIP |
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原厂原装 |
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NEC |
24+ |
DIP |
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NEC |
24+ |
DIP |
37500 |
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NEC |
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DIP16P |
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