UPA812T中文资料NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR数据手册CEL规格书
| 厂商型号 |
UPA812T |
| 参数属性 | UPA812T 封装/外壳为6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363 |
| 功能描述 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 制造商 | CEL California Eastern Labs |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 11:34:00 |
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UPA812T规格书详情
简介
UPA812T属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的UPA812T晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
UPA812T-T1-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
2 NPN（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
- 频率 - 跃迁：
7GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.4dB @ 1GHz
- 增益：
12dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 7mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
65mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：
SOT-363
- 描述：
RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
DIP16P |
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NEC |
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NEC |
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NEC |
23+ |
SOT-363 |
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CEL |
24+ |
原厂原封 |
1000 |
原装正品 |
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NEC |
2002 |
DIP-16P |
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