UPA812T分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
UPA812T |
| 参数属性 | UPA812T 封装/外壳为6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363 |
| 功能描述 | SILICON TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 文件大小 |
249.87 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 23:00:00 |
| 人工找货 | UPA812T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
UPA812T规格书详情
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
(WITH BUILT-IN 2 ´ 2SC4227) SMALL MINI MOLD
FEATURES
• Low Noise
NF = 1.4 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
• High Gain
|S21e|2 = 12 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
• A Small Mini Mold Package Adopted
• Built-in 2 Transistors (2 ´ 2SC4227)
产品属性
- 产品编号：
UPA812T-T1-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
2 NPN（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
- 频率 - 跃迁：
7GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.4dB @ 1GHz
- 增益：
12dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 7mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
65mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：
SOT-363
- 描述：
RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
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RENESAS |
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