UPA812T中文资料PDF规格书
UPA812T规格书详情
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
(WITH BUILT-IN 2 ´ 2SC4227) SMALL MINI MOLD
FEATURES
• Low Noise
NF = 1.4 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
• High Gain
|S21e|2 = 12 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
• A Small Mini Mold Package Adopted
• Built-in 2 Transistors (2 ´ 2SC4227)
产品属性
- 产品编号:
UPA812T-T1-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
10V
- 频率 - 跃迁:
7GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.4dB @ 1GHz
- 增益:
12dB
- 功率 - 最大值:
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 7mA,3V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
65mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:
SOT-363
- 描述:
RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS-瑞萨 |
24+25+/26+27+ |
SOT-363 |
57500 |
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询价 | ||
NEC |
22+ |
R6SMM3000PCS |
2987 |
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询价 | ||
NEC |
SOT-363 |
9760 |
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询价 | |||
NEC |
99 |
5000 |
询价 | ||||
NEC |
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询价 | ||||
CEL |
17+ |
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1000 |
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询价 | ||
NEC |
05+ |
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NEC |
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SOT-163 |
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询价 | ||
SOT-363SO |
23+ |
NA |
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询价 | ||
CEL |
23+ |
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询价 |