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UPA2791GR-E1-AT	文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The μ PA2791GR is N- and P-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. FEATURES • Low on-state resistance N-channel RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A) P-channel 文件：248.99 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA2791GR-E1-AT	文件：437.97 Kbytes Page：14 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The μ PA2791GR is N- and P-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. FEATURES • Low on-state resistance N-channel RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A) P-channel RDS(on)1 = 82 mΩ MAX. (VG 文件：437.97 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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