| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
留言
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NECSOP8 |
7850 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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5年
留言
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RenesasSOP8 |
22000 |
23+ |
原装优质现货订货渠道商 |
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13年
留言
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RENESAS/瑞萨 |
9500 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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10年
留言
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RENESAS三极管 |
2500 |
26+ |
原装进口特价中价格优势现货实单咨询※※正迈科技 |
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NECSOP-8 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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1年
留言
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NECSOP-8 |
400 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单 |
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1年
留言
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NECSOP-8 |
400 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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3年
留言
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NECSOP-8 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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8年
留言
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NECSOP-8 |
400 |
11+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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3年
留言
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NECSOP-8 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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6年
留言
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NECSOP-8 |
400 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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10年
留言
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RENESASSOP8 |
30000000 |
26+ |
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原装进口中国百强元器件分销企业 专注RENESAS十年 公司大量RENESAS现货 欢迎您的咨询 百年不变 服务至上 |
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2年
留言
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RENESAS |
16 |
5000 |
原封 |
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12年
留言
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RENESAS/瑞萨SOP8 |
8850 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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6年
留言
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NECSOP-8 |
350 |
23+ |
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4年
留言
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RENESASSOP8 |
35400 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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11年
留言
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RENESAS/瑞萨SOP8 |
30000 |
25+ |
全新原装 假一赔十 价格优势 |
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13年
留言
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RENESAS/瑞萨8-PSOP |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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RENESAS/瑞萨NA |
30000 |
26+ |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
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12年
留言
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RENESAS/瑞萨SOP-8 |
33288 |
新年份 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
UPA2790采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
UPA2790图片
UPA2790GR资讯
UPA2790GR
UPA2790GR主要参数: FET - 阵列 FET 类型: N 和 P 沟道 FET 功能: 逻辑电平门 漏源极电压(Vdss): 30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 6A 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 28 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 12.6nC @ 10V 不同 V
UPA2790GR中文资料Alldatasheet PDF
更多UPA2790GR制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET
UPA2790GR-E1-AT功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA2790GR-E2-AT功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR


























