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UPA2728GR-E2-A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPA2728GR-E2-A
厂商型号

UPA2728GR-E2-A

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

348.46 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-29 23:01:00

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UPA2728GR-E2-A规格书详情

DESCRIPTION

The μ PA2728GR is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for DC/DC converter and power management

applications of notebook computer.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 10.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 7.0 A)

RDS(on)2 = 18 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 7.0 A)

• Low gate to drain charge

QGD = 3.5 nC TYP. (VDD = 15 V, ID = 13 A)

• Built-in gate protection diode

• Small and surface mount package (Power SOP8)

• RoHS Compliant

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