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UPA2727UT1A-E1-AZ中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPA2727UT1A-E1-AZ
厂商型号

UPA2727UT1A-E1-AZ

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

351.96 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-24 20:00:00

UPA2727UT1A-E1-AZ规格书详情

DESCRIPTION

The μ PA2727UT1A is N-channel MOSFET designed for DC/DC converter applications.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 9.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A)

RDS(on)2 = 15 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 8 A)

• Low QGD

QGD = 3.5 nC TYP. (VDD = 15 V, ID = 16 A)

• Thin type surface mount package with heat spreader (8-pin HVSON)

• RoHS Compliant

产品属性

  • 型号:

    UPA2727UT1A-E1-AZ

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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