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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2726UT1AisN-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=11.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=10A) •Lowinputcapacitance Ciss=1720pFTYP.(VDS=15V,VGS=0V) | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
P-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI |
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