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UPA2720AGR-E1-AT	文件：274.85 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2720AGRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofanotebook computerandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=7A) RDS(on)2=14mΩMAX.(VGS=5.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA2720AGR-E1-AT

文件：274.85 Kbytes

Page：8 Pages

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2720AGRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofanotebook computerandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=7A) RDS(on)2=14mΩMAX.(VGS=5.

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更多UPA2720AGR-E1-AZ供应商更新时间2024-6-23 16:16:00

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