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UPA1931	文件：123.64 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheμPA1931isaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya4.5Vpowersource. TheμPA1931featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. Features ●4.5Vdri	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1931TE-T1-AT	文件：123.64 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheμPA1931isaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya4.5Vpowersource. TheμPA1931featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. Features ●4.5Vdri	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1931TE-T1-AT	文件：456.74 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA1931TE-T2-AT	文件：123.64 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheμPA1931isaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya4.5Vpowersource. TheμPA1931featuresalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. Features ●4.5Vdri	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1931TE-T2-AT	文件：456.85 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
1931	文件：97.83 Kbytes Page：4 Pages	CustomerSpecification Construction Diameters(In) 1)Component12X1COND a)Conductor18(41/34)AWGBC0.047 b)Insulation0.017Wall,Nom.EPDMRubber0.084 (1)SeparatorPaperTape,10Overlap,Min. (2)Color(s) CondColorCondColorCondColor 1BLACK2WHITE 2)CableAssembly2ComponentsCabled a)Tw	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
A1931	文件：133.11 Kbytes Page：4 Pages	High-CurrentSwitchingApplications High-CurrentSwitchingApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=−0.4V(max) •High-speedswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) •Complementaryto2SC4881	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
ALN1931AT	文件：210.46 Kbytes Page：3 Pages	InternallyMatchedLNAModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
ALN1931AT	文件：411.01 Kbytes Page：3 Pages	InternallyMatchedLNAModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
B1931	文件：856.31 Kbytes Page：14 Pages	TopMountChipLED	Harvatekharvatek 宏齐宏齐科技股份有限公司	Harvatek

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深圳市鹏和科技有限公司	UPA1931TE-T1-AT	R	24+	SC-95	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	UPA1931TE-T1-AT	RENESAS/瑞萨	23+	SC-95	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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