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VDD521LNTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDD521MCTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDD521MNTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDD521SCTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDD521SNTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
WJR-521B	文件：101.91 Kbytes Page：3 Pages	DualOutputPlug-inSignalConditionersW-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
WJR-521B/Q	文件：101.91 Kbytes Page：3 Pages	DualOutputPlug-inSignalConditionersW-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
WJR-521BSLASHQ	文件：101.91 Kbytes Page：3 Pages	DualOutputPlug-inSignalConditionersW-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
WJR-521C	文件：101.91 Kbytes Page：3 Pages	DualOutputPlug-inSignalConditionersW-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
WJR-521C/Q	文件：101.91 Kbytes Page：3 Pages	DualOutputPlug-inSignalConditionersW-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

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详细参数

型号：
UNR521L
功能描述：
TRANS NPN W/RES 20 HFE S-MINI 3P
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列：
-
标准包装：
10,000
晶体管类型：
NPN - 预偏压电流 -
集电极(Ic)（最大）：
100mA 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
50V 电阻器 -
基极(R1)（欧）：
47k 电阻器 -
发射极(R2)（欧）：
47k 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
70 @ 5mA，5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
300mV @ 500µA，10mA 电流 -
集电极截止（最大）：
- 频率 -
转换：
100MHz 功率 -
最大：
250mW
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商设备封装：
PG-SOT323-3
包装：
带卷(TR)
其它名称：
SP000756242

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