订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>UNR5211G0L>芯片详情
UNR5211G0L 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 PANASONIC/松下
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
:UNR5211G0L
- 生产厂家
:松下
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
:100mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:50V
- 电阻器 - 基底(R1)
:10 kOhms
- 电阻器 - 发射极基底(R2)
:10 kOhms
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
:35 @ 5mA,10V
- 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
:250mV @ 300µA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值)
:500nA
- 频率 - 跃迁
:150MHz
- 功率 - 最大值
:150mW
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:SC-85
- 供应商器件封装
:S迷你型3-F2
相近型号
- UNR5212-(TX)
- UNR5212(TX)SOT323-8B
- UNR5211
- UNR521200L
- UNR5210G0L+
- UNR5210G0L
- UNR52128B
- UNR5210G
- UNR5212G
- UNR521000L
- UNR5212G0L
- UNR5210001S0
- UNR5212J0L
- UNR5210
- UNR51AVG0L
- UNR5213
- UNR51ATG0L
- UNR5213(TX)SOT323-8C
- UNR51AOGOLSO+
- UNR521300L
- UNR51AOGOL+
- UNR521300L/UN5213-(T
- UNR51ANG0L
- UNR51AMG0L
- UNR521300L+
- UNR51AMG01CA
- UNR5213G
- UNR51ALG0L
- UNR5213G0L
- UNR51AHGOL
- UNR5213J
- UNR51AEG0L
- UNR5213-J
- UNR51AAG0LSO
- UNR5213J01FX
- UNR51AAG0LS0+
- UNR5213J01FX+
- UNR51AAG0LS0
- UNR5213J0L
- UNR51A6G0L
- UNR5214
- UNR51A5GOLSO
- UNR5214(TX)
- UNR51A5G0LS0+
- UNR5214(TX)SOT323-8D
- UNR51A5G0LS0
- UNR521400L
- UNR51A5G0L
- UNR521400L/UN5214-(T
- UNR51A4G0LS0+