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UNR412200A中文资料TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1数据手册Panasonic规格书
| 厂商型号 |
UNR412200A |
| 参数属性 | UNR412200A 封装/外壳为3-SSIP；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 |
| 功能描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 |
| 封装外壳 | 3-SSIP |
| 制造商 | Panasonic Panasonic Semiconductor |
| 中文名称 | 松下 松下电器 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-24 16:00:00 |
| 人工找货 | UNR412200A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
UNR412200A规格书详情
简介
UNR412200A属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置。由Panasonic制造生产的UNR412200A晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。
技术参数
更多- 制造商编号
：UNR412200A
- 生产厂家
：Panasonic
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：500mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：50V
- 电阻器 - 基底（R1）
：4.7 kOhms
- 电阻器 - 发射极基底（R2）
：4.7 kOhms
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
：50 @ 100mA，10V
- 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
：250mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）
：1µA
- 频率 - 跃迁
：200MHz
- 功率 - 最大值
：300mW
- 安装类型
：通孔
- 封装/外壳
：3-SSIP
- 供应商器件封装
：NS-A1
