首页>UNR412100A>规格书详情
UNR412100A数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF
| 厂商型号 |
UNR412100A |
| 参数属性 | UNR412100A 封装/外壳为3-SSIP；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 |
| 功能描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 |
| 封装外壳 | 3-SSIP |
| 制造商 | Panasonic Panasonic Semiconductor |
| 中文名称 | 松下 松下电器 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 16:14:00 |
| 人工找货 | UNR412100A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 制造商编号
：UNR412100A
- 生产厂家
：Panasonic
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：500mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：50V
- 电阻器 - 基底（R1）
：2.2 kOhms
- 电阻器 - 发射极基底（R2）
：2.2 kOhms
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
：40 @ 100mA，10V
- 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
：250mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）
：1µA
- 频率 - 跃迁
：200MHz
- 功率 - 最大值
：300mW
- 安装类型
：通孔
- 封装/外壳
：3-SSIP
- 供应商器件封装
：NS-A1
