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UNR31A1分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

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厂商型号

UNR31A1

参数属性

UNR31A1 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3

功能描述

Silicon PNP epitaxial planar transistor
TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3

封装外壳

SOT-723

文件大小

76.9 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

Panasonic

中文名称

松下

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-29 23:00:00

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UNR31A1规格书详情

UNR31A1属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由松下电器制造生产的UNR31A1晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

Silicon PNP epitaxial planar transistor

For digital circuits

■ Features

• Suitable for high-density mounting and downsizing of the equipment

• Contribute to low power consumption

产品属性

更多
  • 产品编号:

    UNR31A1G0L

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    35 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-723

  • 供应商器件封装:

    SSS迷你型3-F2

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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