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UNR221T分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

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厂商型号

UNR221T

参数属性

UNR221T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3

功能描述

Silicon NPN epitaxial planar transistor
TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

436.8 Kbytes

页面数量

17

生产厂商

Panasonic

中文名称

松下

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-29 23:00:00

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UNR221T规格书详情

UNR221T属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由松下电器制造生产的UNR221T晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

Silicon NPN epitaxial planar transistor

For digital circuits

■ Features

• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts.

• Mini type package allowing easy automatic insertion through tape

packing and magazine packing

产品属性

更多
  • 产品编号:

    UNR221T00L

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    迷你型3-G1

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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