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UNB-501M	文件：2.68285 Mbytes Page：6 Pages	Spark Gap Protectors (SPG) Features Approximatelyzeroleakingcurrentbeforeclampingvoltage Lessdecayaton/offstate. Highcapabilitytowithstandrepeatedlightningstrikes. Lowelectrodecapacitance(≤1.0pF)andhighisolation(≥100MΩ). RoHScompliant. Bilateralsymmetrical. Temperature,humidityandlightne	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UNB-501M	文件：280.52 Kbytes Page：5 Pages	Spark Gap Protectors	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UNB-501MSMD	文件：2.75115 Mbytes Page：5 Pages	Spark Gap Protectors (SPG) Features Approximatelyzeroleakingcurrentbeforeclampingvoltage Lessdecayaton/offstate. Highcapabilitytowithstandrepeatedlightningstrikes. Lowelectrodecapacitance(≤1.0pF)andhighisolation(≥100MΩ). RoHScompliant. Bilateralsymmetrical. Temperature,humidityandlightnes	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UNB-501M-SMD	文件：297.8 Kbytes Page：4 Pages	Spark Gap Protectors	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UNC-501M	文件：325.51 Kbytes Page：5 Pages	SparkGapProtectors	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UNC-501M	文件：338.76 Kbytes Page：5 Pages	SparkGapProtectors(SPG)	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UNC-501M	文件：2.72288 Mbytes Page：6 Pages	SparkGapProtectors(SPG) Features Approximatelyzeroleakingcurrentbeforeclampingvoltage Lessdecayaton/offstate. Highcapabilitytowithstandrepeatedlightningstrikes. Lowelectrodecapacitance(≤1.0pF)andhighisolation(≥100MΩ). RoHScompliant. Bilateralsymmetrical. Temperature,humidityandlightne	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UNC-501MSMD	文件：2.40773 Mbytes Page：5 Pages	SparkGapProtectors(SPG) Features Approximatelyzeroleakingcurrentbeforeclampingvoltage Lessdecayaton/offstate. Highcapabilitytowithstandrepeatedlightningstrikes. Lowelectrodecapacitance(≤0.8pF)andhighisolation(≥100MΩ). RoHScompliant. Bilateralsymmetrical. Temperature,humidityandlightnes	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UPG501	文件：41.67 Kbytes Page：2 Pages	5GHzDIVIDE-BY-4STATICPRESCALER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG501B	文件：210.1 Kbytes Page：10 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Wideoperatingfrequencyrange;fin=1.5to5.0GHz •SingleSupplyVoltage:VDD=10V •Hermeticallysealedpackageassuershighreliability	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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