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UN609P23T	文件：5.47275 Mbytes Page：8 Pages	丝印：S09；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Advanced trench cell design Low Thermal Resistance Low Gate Charge Halogen-Free & Lead-Free Applications Load Switch for Portable Devices Voltage controlled small signal switch 文件：5.47275 Mbytes 页数：8 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN609P23T	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UNMEN05GC1C31AS	文件：0 bytes Page：0 Pages	UNIGROUP/紫光微 BGA	UNIGROUP/紫光微上传：深圳市恒佳微电子有限公司	UNIGROUP/紫光微

技术参数

类型：
PMOS
VDS (V)：
-60
VGS (V)：
±20
VTH (MIN) (V)：
-1.0
VTH (MAX) (V)：
-2.5
ID @25°C (A)：
-3.4
RDS(ON) @VGS=10V Typ(mΩ)：
75
RDS(ON) @VGS=10V Max(mΩ)：
100
RDS(ON) @VGS=4.5V Typ.(mΩ)：
85
RDS(ON) @VGS=4.5V Max(mΩ)：
120
RDS(ON) @VGS=2.5V Typ.(mΩ)：
/
ESD：
YES
AEC-Q101：
NO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UN609P23T供应商更新时间2025-10-9 14:01:00

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