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UN2E5-800LL

2-ElectrodeGasDischargeTube(GDT)

SOCAYSocay Electornics Co., Ltd.

硕凯电子硕凯电子股份有限公司

UN2E5-800LL

2-ElectrodeGasDischargeTube(GDT)

UNSEMIUN Semiconducctor INC

优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司

技术参数

  • 极数:

    2

  • 标称直流 击穿电压 (V):

    800±20%

  • Impulse Spark-over Voltage @100V/µS:

    1200

  • Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS:

    1400

  • Minmum Insulation Resistance (MΩ):

    1000

  • Arc Voltage @1A (V):

    ~20

  • Surge Current 8/20µs (A):

    5000

  • Cj @1MHz (pF):

    1.0

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更多UN2E5-800LSMD供应商 更新时间2025-7-28 14:01:00