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UN2E5-2000L	文件：3.09702 Mbytes Page：6 Pages	丝印：2000L；High Voltage Single Gas Discharge Tube Features Non-Radioactive ROHS compliant Ultra low capacitance Low insertion loss Excellent response to fast rising transients 2.5KA surge capabilily tested with 8/20μs pulse as defined by IEC 61000-4-5 Applications CRT terminals CATV equipment Antennas Power suplies Medical electron 文件：3.09702 Mbytes 页数：6 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN2E5-2000LL	文件：3.09702 Mbytes Page：6 Pages	丝印：2000L；High Voltage Single Gas Discharge Tube Features Non-Radioactive ROHS compliant Ultra low capacitance Low insertion loss Excellent response to fast rising transients 2.5KA surge capabilily tested with 8/20μs pulse as defined by IEC 61000-4-5 Applications CRT terminals CATV equipment Antennas Power suplies Medical electron 文件：3.09702 Mbytes 页数：6 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN2E5-2000LSMD	文件：2.36995 Mbytes Page：5 Pages	Surface Single Gas Discharge Tube Applications Communication equipment CATV equipment Test equipment Data lines Power suplies Telecom SLIC proteclion Broadband equipment ADSL equipment, including ADSL2+ XDSL equipment Satlite and CATV equipment Consumer electronics 文件：2.36995 Mbytes 页数：5 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN2E5-2000L	文件：300 bytes Page：1 Pages	过压保护元件	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN2E5-2000LL	文件：300 bytes Page：1 Pages	过压保护元件	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN2E5-2000LSMD	文件：300 bytes Page：1 Pages	过压保护元件	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI

技术参数

极数：
2
标称直流击穿电压（V）：
2000±20%
Impulse Spark-over Voltage @100V/µS：
3000
Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS：
3500
Minmum Insulation Resistance (MΩ)：
1000
Arc Voltage @1A (V)：
~25
Surge Current 8/20µs (A)：
2500
Cj @1MHz (pF)：
1.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
北京京北通宇电子元件有限公司	UN2E5-2000L	UN SEMICONDUCTOR	24+	con	10000	查现货到京北通宇商城	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	UN2E5-230L	SG	23+	DIP	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
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更多UN2E5-2000L供应商更新时间2025-10-6 14:01:00

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