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UN1210	文件：347.81 Kbytes Page：14 Pages	Silicon NPN epitaxial planar type Silicon NPN epitaxial planar type For digital circuits ■ Features • Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts • M type package allowing easy automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing to the printed circuit board 文件：347.81 Kbytes 页数：14 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
UN1210	文件：87.87 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN epitaxial planer transistor Silicon NPN epitaxial planer transistor For switching/digital circuits ■ Features ● Two elements incorporated into one package. (Transistors with built-in resistor) ● Reduction of the mounting area and assembly cost by one half. ■ Basic Part Number of Element ● UNR1210(UN1210) × 2 elemen 文件：87.87 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
UN1210	文件：179.19 Kbytes Page：13 Pages	Silicon NPN epitaxial planer transistor Silicon NPN epitaxial planar type For digital circuits ■ Features • Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts • M type package allowing easy automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing to the printed circuit board 文件：179.19 Kbytes 页数：13 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
UN1210	文件：2.47808 Mbytes Page：5 Pages	Surface Single Gas Discharge Tube Features Non-Radioactive ROHS compliant Ultra low capacitance ( 文件：2.47808 Mbytes 页数：5 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN1210	文件：523.95 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount 2-Electrode Gas Discharge Tube 文件：523.95 Kbytes 页数：4 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN1210	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN epitaxial planer transistor	Panasonic 松下	Panasonic
UN1210-101H	文件：2.73844 Mbytes Page：7 Pages	MULTILAYER CHIP VARISTORS Feature Varistor Voltage from 12 V to 470 V Fast response time Low leakage current High surge current ability Bidirectional clamping, high energy Wide Operating temperature range from -55℃-125℃ Suitable for ESD protection 文件：2.73844 Mbytes 页数：7 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN1210-120H	文件：2.73844 Mbytes Page：7 Pages	MULTILAYER CHIP VARISTORS Feature Varistor Voltage from 12 V to 470 V Fast response time Low leakage current High surge current ability Bidirectional clamping, high energy Wide Operating temperature range from -55℃-125℃ Suitable for ESD protection 文件：2.73844 Mbytes 页数：7 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN1210-121H	文件：2.73844 Mbytes Page：7 Pages	MULTILAYER CHIP VARISTORS Feature Varistor Voltage from 12 V to 470 V Fast response time Low leakage current High surge current ability Bidirectional clamping, high energy Wide Operating temperature range from -55℃-125℃ Suitable for ESD protection 文件：2.73844 Mbytes 页数：7 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
UN1210-150BSMD	文件：2.47808 Mbytes Page：5 Pages	Surface Single Gas Discharge Tube Features Non-Radioactive ROHS compliant Ultra low capacitance ( 文件：2.47808 Mbytes 页数：5 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI

晶体管资料

型号：
UN1210
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
AA1L4Z,DTC144TS,KSR1012,2SC3899,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
A-68
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.5
wtest：
0.6

技术参数

Maximum Allowable Voltage Vdc(V)：
85
Varistor Voltage @1mA (V)：
100(90-110)
Max Peak Current@ 8/20µs 1 pulse：
250
Max Clamping Voltage@Ip Vc(V)：
165
Ip (A)：
5
CJ@ 1MHZ (PF)：
850
封装类型：
1210

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	UN1210		23+	TO-92L	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	UN1210M56K	UN	24+	SMD	900000	原装进口特价	询价
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更多UN1210供应商更新时间2026-1-19 11:09:00

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