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UN1206	文件：2.40522 Mbytes Page：5 Pages	Surface Single Gas Discharge Tube Features Non-Radioactive ROHScompliant Ultralowcapacitance(	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN1206	文件：539.46 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount 2-Electrode Gas Discharge Tube	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN1206-101H	文件：2.90116 Mbytes Page：7 Pages	MULTILAYER CHIP VARISTORS Feature VaristorVoltagefrom5Vto470V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-55℃-125℃ SuitableforESDprotection	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN1206-120H	文件：2.90116 Mbytes Page：7 Pages	MULTILAYER CHIP VARISTORS Feature VaristorVoltagefrom5Vto470V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-55℃-125℃ SuitableforESDprotection	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN1206-150ASMD	文件：2.40522 Mbytes Page：5 Pages	Surface Single Gas Discharge Tube Features Non-Radioactive ROHScompliant Ultralowcapacitance(	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN1206-180H	文件：2.90116 Mbytes Page：7 Pages	MULTILAYER CHIP VARISTORS Feature VaristorVoltagefrom5Vto470V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-55℃-125℃ SuitableforESDprotection	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN1206-200ASMD	文件：2.40522 Mbytes Page：5 Pages	Surface Single Gas Discharge Tube Features Non-Radioactive ROHScompliant Ultralowcapacitance(	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN1206-201H	文件：2.90116 Mbytes Page：7 Pages	MULTILAYER CHIP VARISTORS Feature VaristorVoltagefrom5Vto470V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-55℃-125℃ SuitableforESDprotection	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN1206-210H	文件：2.90116 Mbytes Page：7 Pages	MULTILAYER CHIP VARISTORS Feature VaristorVoltagefrom5Vto470V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-55℃-125℃ SuitableforESDprotection	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN1206-230ASMD	文件：2.40522 Mbytes Page：5 Pages	Surface Single Gas Discharge Tube Features Non-Radioactive ROHScompliant Ultralowcapacitance(	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI

技术参数

Maximum Allowable Voltage Vdc(V)：
14
Varistor Voltage @1mA (V)：
18(15.5-21)
Max Peak Current@ 8/20µs 1 pulse：
100
Max Clamping Voltage@Ip Vc(V)：
30
Ip (A)：
5
CJ@ 1MHZ (PF)：
200
封装类型：
1206

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳诚思涵科技有限公司	UN1206-150ASMD	UNION	18+	SMD	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	UN1206M26K	UN	24+	SMD	900000	原装进口特价	询价
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北京京北通宇电子元件有限公司	UN1206-400ASMD	UN SEMICONDUCTOR	24+	con	10000	查现货到京北通宇商城	询价
深圳市德力诚信科技有限公司	UN1206-420ASMD	UN SEMICONDUCTOR	24+	con	2500	优势库存,原装正品	询价

更多UN1206供应商更新时间2025-7-30 8:30:00

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