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UN1206	文件：539.46 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount 2-Electrode Gas Discharge Tube	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN1206-101H	文件：2.90116 Mbytes Page：7 Pages	MULTILAYER CHIP VARISTORS Feature VaristorVoltagefrom5Vto470V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-55℃-125℃ SuitableforESDprotection	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN1206-120H	文件：2.90116 Mbytes Page：7 Pages	MULTILAYER CHIP VARISTORS Feature VaristorVoltagefrom5Vto470V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-55℃-125℃ SuitableforESDprotection	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN1206-150ASMD	文件：2.40522 Mbytes Page：5 Pages	Surface Single Gas Discharge Tube Features Non-Radioactive ROHScompliant Ultralowcapacitance(	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN1206-180H	文件：2.90116 Mbytes Page：7 Pages	MULTILAYER CHIP VARISTORS Feature VaristorVoltagefrom5Vto470V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-55℃-125℃ SuitableforESDprotection	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN1206-200ASMD	文件：2.40522 Mbytes Page：5 Pages	Surface Single Gas Discharge Tube Features Non-Radioactive ROHScompliant Ultralowcapacitance(	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN1206-201H	文件：2.90116 Mbytes Page：7 Pages	MULTILAYER CHIP VARISTORS Feature VaristorVoltagefrom5Vto470V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-55℃-125℃ SuitableforESDprotection	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN1206-210H	文件：2.90116 Mbytes Page：7 Pages	MULTILAYER CHIP VARISTORS Feature VaristorVoltagefrom5Vto470V Fastresponsetime Lowleakagecurrent Highsurgecurrentability Bidirectionalclamping,highenergy WideOperatingtemperaturerangefrom-55℃-125℃ SuitableforESDprotection	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UN1206-230ASMD	文件：2.40522 Mbytes Page：5 Pages	Surface Single Gas Discharge Tube Features Non-Radioactive ROHScompliant Ultralowcapacitance(	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI

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