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UN0812N4R6-T63	文件：5.54102 Mbytes Page：8 Pages	Marking：UN0812N；Package：TO-263；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature UsesadvancedSGTtechnology Extremelylowon-resistanceRDS(ON) ExcellentgatechargexRDS(ON)product(FOM) Applications MotorDrives SR(Synchronousrectification) DC/DCconverter Generalpurposeapplications	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI

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UN0812N4R6-T63

文件：5.54102 Mbytes

Page：8 Pages

Marking：UN0812N；Package：TO-263；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Feature UsesadvancedSGTtechnology Extremelylowon-resistanceRDS(ON) ExcellentgatechargexRDS(ON)product(FOM) Applications MotorDrives SR(Synchronousrectification) DC/DCconverter Generalpurposeapplications

UNSEMIUN Semiconducctor INC

优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司

UNSEMI

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北京京北通宇电子元件有限公司	UN0812N4R6-T63	UN SEMICONDUCTOR	24+	con	10000	查现货到京北通宇商城	询价
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更多UN0812N4R6-T63供应商更新时间2025-5-16 14:00:00

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