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UN0812N4R6-T63	文件：5.54102 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature UsesadvancedSGTtechnology Extremelylowon-resistanceRDS(ON) ExcellentgatechargexRDS(ON)product(FOM) Applications MotorDrives SR(Synchronousrectification) DC/DCconverter Generalpurposeapplications	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI

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UN0812N4R6-T63

文件：5.54102 Mbytes

Page：8 Pages

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Feature UsesadvancedSGTtechnology Extremelylowon-resistanceRDS(ON) ExcellentgatechargexRDS(ON)product(FOM) Applications MotorDrives SR(Synchronousrectification) DC/DCconverter Generalpurposeapplications

UNSEMIUN Semiconducctor INC

优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司

UNSEMI

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更多UN0812N4R6-T63供应商更新时间2024-6-19 16:26:00

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