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UN0812N4R6-T63

丝印:UN0812N;Package:TO-263;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Feature Uses advanced SGT technology Extremely low on-resistance RDS(ON) Excellent gate charge x RDS(ON) product(FOM) Applications Motor Drives SR (Synchronous rectification) DC/DC converter General purpose applications

文件:5.54102 Mbytes 页数:8 Pages

UNSEMI

优恩半导体

UN1066G

UTC/友顺
SOT-89

UTC/友顺

UNMEN05GC1C31AS

UNIGROUP/紫光微
BGA

UNIGROUP/紫光微

上传:深圳市恒佳微电子有限公司

UNIGROUP/紫光微

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更多UN0812N4R6-T63供应商 更新时间2025-10-7 14:01:00