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UN0315N1R6-PD56

丝印:UN0315N;Package:DFN5x6-8L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Feature ProprietaryTrenchGateDeviceDesignandProcesses Extremelylowon-resistanceRDS(ON) 100AvalancheTested ReliableandRugged RoHScompliant Applications DC/DCConverter BatteryManagementSystem IndustrialandMotorDriveapplications Synchronousrectifierapplications

UNSEMIUN Semiconducctor INC

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更多UN0315N1R6-PD56供应商 更新时间2025-7-30 14:01:00