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UN0315N1R6-PD56中文资料优恩半导体数据手册PDF规格书

UN0315N1R6-PD56
厂商型号

UN0315N1R6-PD56

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

丝印标识

UN0315N

封装外壳

DFN5x6-8L

文件大小

4.28364 Mbytes

页面数量

9

生产厂商 UN Semiconducctor INC
企业简称

UNSEMI优恩半导体

中文名称

深圳市优恩半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-29 23:00:00

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UN0315N1R6-PD56规格书详情

Feature

Proprietary Trench Gate Device Design and Processes

Extremely low on-resistance RDS(ON)

100 Avalanche Tested

Reliable and Rugged

RoHS compliant

Applications

DC/DC Converter

Battery Management System

Industrial and Motor Drive applications

Synchronous rectifier applications

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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