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UMH14N	文件：363.95 Kbytes Page：6 Pages	丝印：H14；Package：SOT-363；NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT package. 文件：363.95 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMH14N	文件：72.01 Kbytes Page：2 Pages	丝印：H14；Package：SOT-363；General purpose (dual digital transistors) Features 1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT package. 文件：72.01 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMH14N	文件：61.1 Kbytes Page：3 Pages	丝印：H14；Package：SOT-363；General purpose (dual digital transistors) Features 1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT package. 文件：61.1 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMH14N	文件：399.04 Kbytes Page：1 Pages	dual digital transistors (NPN NPN) 文件：399.04 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
UMH14N	文件：2.36136 Mbytes Page：4 Pages	Dual Digital Transistors 文件：2.36136 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
UMH14NTR	文件：363.95 Kbytes Page：6 Pages	NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT package. 文件：363.95 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMH14N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complex Transistor(DTR+DTR) •输入电阻型超小型复合三极管;	ROHM 罗姆	ROHM
UMH14N	文件：300 bytes Page：1 Pages	双数字三极管	SXSEMI 瞬芯	SXSEMI
UMH14N	文件：300 bytes Page：1 Pages	双数字晶体管	JSCJ 长晶科技	JSCJ

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
UMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-363
JEITA Package：
SC-88
Package Size[mm]：
2.0x2.1 (t=0.9)
Number of terminal：
6
Polarity：
NPN+NPN
Supply voltage VCC 1[V]：
50.0
Collector current Io (Ic) [A]：
0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
47.0
Input resistance R1 2 [kΩ]：
47.0
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
50.0
Collector current Io(Ic) [A]：
0.1
Collector-Emitter voltage VCEO2[V]：
50.0
Collector current(continuous) IC2[A]：
0.1
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
DTC144T / DTC144T
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多UMH14N供应商更新时间2025-10-16 11:48:00

技术参数

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