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UMG8N	文件：360.96 Kbytes Page：2 Pages	Dual DigitalTransistors 文件：360.96 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
UMG8N	文件：71.98 Kbytes Page：3 Pages	丝印：G8；Package：SOT-353；Emitter common (dual digital transistors) 文件：71.98 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMG8N	文件：1.17 Mbytes Page：10 Pages	丝印：G8；Package：SOT-353；Emitter common (dual digital transistor) 文件：1.17 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMG8N	文件：435.2 Kbytes Page：7 Pages	丝印：G8；Package：SOT-353；NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) 文件：435.2 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMG8N	文件：435.2 Kbytes Page：7 Pages	丝印：G8；Package：EMT5；NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors 文件：435.2 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMG8N	文件：682.48 Kbytes Page：4 Pages	Dual Digital Transistors 文件：682.48 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
UMG8N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complex Transistor(DTR+DTR) 在超小型封装中内藏2个晶体管。适用于从差动增幅回路到高频水晶振动器，起动器等各种用途。 •分圧型超小型复合三极管;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
UMT5
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-353
JEITA Package：
SC-88A
Number of terminal：
5
Polarity：
NPN+NPN
Supply voltage VCC 1[V]：
50
Collector current Io (Ic) [A]：
0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
4.7
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]：
47
Supply voltage VCC 2[V]：
50
Collector current IC 2[A]：
0.1
Input resistance R1 2 [kΩ]：
4.7
Emitter base Resistance R2 2 [kΩ]：
47
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
DTC143Z / DTC143Z
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=1)

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