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UMFT231XE	文件：773.83 Kbytes Page：18 Pages	UMFT231XE USB to Full-Handshake UART Development Module	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飞特帝亚英商飞特帝亚有限公司	FTDI
UMFT231XE-01	文件：770.88 Kbytes Page：18 Pages	UMFT221XE USB to 8-bit SPI/FT1248 Development Module	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飞特帝亚英商飞特帝亚有限公司	FTDI
UMFT231XE-01	文件：813.07 Kbytes Page：18 Pages	UMFT240XE USB to 8-bit 245 FIFO Development Module	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飞特帝亚英商飞特帝亚有限公司	FTDI
UMFT231XE-01	文件：773.83 Kbytes Page：18 Pages	UMFT231XE USB to Full-Handshake UART Development Module	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飞特帝亚英商飞特帝亚有限公司	FTDI
UMFT231XE-01	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装功能：USB 2.0 转 UART 类别：开发板，套件，编程器评估和演示板及套件描述：MOD USB UART DEV 0.6\	FTDI, Future Technology Devices International Ltd FTDI, Future Technology Devices International Ltd	FTDI, Future Technology Devices International Ltd
VDD231LCTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDD231LNTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDD231MCTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDD231MNTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDD231SCTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM

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