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UMF28N

Complex Transistor(BIP+DTR); •功率制动用超小型复合三极管;

在超小型封装中内藏2个晶体管。适用于从差动增幅回路到高频水晶振动器,起动器等各种用途。

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

UMF28N

丝印:F28;Package:SOT-363;Power management (dual transistors)

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

技术参数

  • 封装:

    UMT6

  • 包装数量:

    3000

  • 最小独立包装数量:

    3000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    SOT-363

  • JEITA Package:

    SC-88

  • Number of terminal:

    6

  • Polarity:

    BIP_PNP+DTR_NPN

  • Supply voltage VCC 1[V]:

    50

  • Collector current IC 1[A]:

    0.1

  • Input resistance R1 1[kΩ]:

    22

  • Emitter base Resistance R2 1[kΩ]:

    47

  • hFE:

    68 to

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]:

    -50

  • Collector current Io(Ic) [A]:

    -0.15

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    2x2.1 (t=1)

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