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UMD6	文件：373.8 Kbytes Page：8 Pages	Packaging specifications surface mounting type 文件：373.8 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMD6N	文件：66.65 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D6；Package：SOT-363；General purpose (dual digital transistors) Features 1) Both the DTA143T chip and DTC143T chip in an EMT or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. 文件：66.65 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMD6N	文件：516.34 Kbytes Page：8 Pages	丝印：D6；Package：SOT-363；NPN PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1) Both the DTA143T chip and DTC143T chip in an EMT or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. 文件：516.34 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMD6NTR	文件：516.34 Kbytes Page：8 Pages	NPN PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1) Both the DTA143T chip and DTC143T chip in an EMT or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. 文件：516.34 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMD6N	文件：517.02 Kbytes Page：8 Pages	丝印：D6；Package：SOT-363；NPN PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) 文件：517.02 Kbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMD6N	文件：1.89696 Mbytes Page：11 Pages	丝印：D6；Package：SOT-363；General purpose (dual digital transistor) 文件：1.89696 Mbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UMD6N	文件：409.98 Kbytes Page：1 Pages	DIGITAL TRANSISTOR (NPN PNP) 文件：409.98 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
UMD6N	文件：1.45733 Mbytes Page：5 Pages	Dual Digital Transistors 文件：1.45733 Mbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
UMD6N	文件：130.039 Kbytes Page：2 Pages	Dual NPNPNP Digital Transistors 文件：130.039 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
UMD6N_15	文件：124.37 Kbytes Page：2 Pages	Dual NPNPNP Digital Transistors 文件：124.37 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

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技术参数

封装：
UMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-363
JEITA Package：
SC-88
Number of terminal：
6
Polarity：
NPN+PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
50
Collector current Io (Ic) [A]：
0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
4.7
Input resistance R1 2 [kΩ]：
4.7
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
50
Collector current Io(Ic) [A]：
0.1
Collector-Emitter voltage VCEO2[V]：
-50
Collector current(continuous) IC2[A]：
-0.1
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
DTA143T / DTC143T
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=1)

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