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UM6K1	文件：108.82 Kbytes Page：4 Pages	Small switching (30V, 0.1A) 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET Features 1) Two 2SK3018 transistors in a single UMT package. 2) The MOS FET elements are independent, eliminating mutual interference. 3) Mounting cost and area can be cut in half. 4) Low On-resistance. 5) Low voltage drive (2.5V drive) makes this dev 文件：108.82 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UM6K1N	文件：81.7 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K1；Package：SOT-363；2.5V Drive NchNch MOS FET 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET Features 1) Two 2SK3018 transistors in a single UMT package. 2) The MOS FET elements are independent, eliminating mutual interference. 3) Mounting cost and area can be cut in half. 4) Low On-resistance. 5) Low voltage drive (2.5V drive) makes this dev 文件：81.7 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UM6K1N	文件：108.82 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K1；Package：SOT-363；Small switching (30V, 0.1A) 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET Features 1) Two 2SK3018 transistors in a single UMT package. 2) The MOS FET elements are independent, eliminating mutual interference. 3) Mounting cost and area can be cut in half. 4) Low On-resistance. 5) Low voltage drive (2.5V drive) makes this dev 文件：108.82 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UM6K1NTN	文件：81.7 Kbytes Page：4 Pages	2.5V Drive NchNch MOS FET 2.5V Drive Nch+Nch MOS FET Features 1) Two 2SK3018 transistors in a single UMT package. 2) The MOS FET elements are independent, eliminating mutual interference. 3) Mounting cost and area can be cut in half. 4) Low On-resistance. 5) Low voltage drive (2.5V drive) makes this dev 文件：81.7 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UM6K31N	文件：205.18 Kbytes Page：6 Pages	丝印：K31；Package：SOT-363；2.5V Drive Nch Nch MOSFET Features 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (UMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. 5) AEC-Q101 Qualified. Application Switching 文件：205.18 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UM6K31N	文件：165.88 Kbytes Page：3 Pages	SILICON N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC UM6K31N is a silicon N-channel MOS Field Effect Transistor. It can be used in switching applications. 文件：165.88 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UM6K31NFHA	文件：2.4459 Mbytes Page：13 Pages	NchNch 60V 250mA Small Signal MOSFET Features 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (UMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. Application Switching 文件：2.4459 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UM6K31NG-AL6-R	文件：165.88 Kbytes Page：3 Pages	SILICON N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC UM6K31N is a silicon N-channel MOS Field Effect Transistor. It can be used in switching applications. 文件：165.88 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UM6K31NL-AL6-R	文件：165.88 Kbytes Page：3 Pages	SILICON N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC UM6K31N is a silicon N-channel MOS Field Effect Transistor. It can be used in switching applications. 文件：165.88 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
UM6K31NTN	文件：945.58 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition •Low On-Resistance:2.5 Ω • Low Threshold: 2 V (typ.) • Low Input Capacitance: 25 pF • Fast Switching Speed: 25 ns • Low Input and Output Leakage • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC BENEFITS • Lo 文件：945.58 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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技术参数

封装：
UMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-363
JEITA Package：
SC-88
Number of terminal：
6
Polarity：
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
0.25
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
3
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
2.3
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
2.1
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
3
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Drive Voltage[V]：
2.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=1)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	UM6K31N	ROHM/罗姆	25+	SOT-363	41250	ROHM/罗姆全新特价UM6K31N即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多UM6K供应商更新时间2026-2-10 9:05:00

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