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UM6J1N	文件：168.45 Kbytes Page：4 Pages	丝印：J01；Package：UMT6；4V Drive Pch MOSFET 文件：168.45 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UM6J1N_09	文件：168.45 Kbytes Page：4 Pages	4V Drive Pch MOSFET 文件：168.45 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UM6J1NTN	文件：113.53 Kbytes Page：4 Pages	4V Drive Pch MOSFET 文件：113.53 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
UM6J1N	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Pch+Pch MOSFET 电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Pch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •4V驱动型 Pch+Pch 小信号MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
UMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-363
JEITA Package：
SC-88
Number of terminal：
6
Polarity：
Pch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-30
Drain Current ID[A]：
-0.2
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
1.4
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.9
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
1.6
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Drive Voltage[V]：
-4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=1)

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