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HSMS-2803	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodesHighBreakdownVoltage Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TheHSMS-280xseriesofdiodesisoptimizedforhighvoltagea	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
HSMS-2803	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TheHSMS-280xseriesofdiodesisoptimizedforhighvoltagea	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
HSMS-2803	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
HSMS-2803	文件：196.56 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
HSMS-2803	文件：196.55 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
HSMS-2803	文件：139.06 Kbytes Page：10 Pages	SurfaceMountRFSchottkyBarrierDiodes Description/Applications TheseSchottkydiodesarespecificallydesignedforbothanaloganddigitalapplications.Thisseriesoffersawiderangeofspecificationsandpackageconfigurationstogivethedesignerwideflexibility.TypicalapplicationsoftheseSchottkydiodesaremixing,detectin	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HV2803	文件：1.0148 Mbytes Page：32 Pages	NoHigh-VoltageBias,LowHarmonicDistortion,32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch Features •32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch •NoHigh-VoltageSuppliesRequired •32-Channel,Single-Pole,Single-Throw(SPST) IndividualSwitchingorBankSwitching •3.3VCMOSInputLogicLevel •66MHzDataShiftClockFrequency •Silicon-on-Insulator(SOI)High-Voltage Technology	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
HV2803/AHA	文件：1.0148 Mbytes Page：32 Pages	NoHigh-VoltageBias,LowHarmonicDistortion,32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch Features •32-Channel,High-VoltageAnalogSwitch •NoHigh-VoltageSuppliesRequired •32-Channel,Single-Pole,Single-Throw(SPST) IndividualSwitchingorBankSwitching •3.3VCMOSInputLogicLevel •66MHzDataShiftClockFrequency •Silicon-on-Insulator(SOI)High-Voltage Technology	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
IRLML2803	文件：449.62 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnologyUltraLowOn-Resistance Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台友台半导体	UMW
IRLML2803	文件：81.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLML2803	文件：191.69 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.25ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®powerMOSFETsarewellknownfor,provid	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLML2803GPBF	文件：247.07 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLML2803GTRPBF	文件：1.07155 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRLML2803PBF	文件：258.529 Kbytes Page：9 Pages	ULTRALOWONRESISFANCE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLML2803PBF	文件：296.69 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLML2803TR	文件：449.62 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnologyUltraLowOn-Resistance Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台友台半导体	UMW
IRLML2803TRPBF	文件：230.15 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology,UltraLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLML2803TRPBF	文件：1.07144 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
JAN2803J	文件：102.78 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN2803J	文件：253.57 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEMEDIUMCURRENTDRIVERARRAYS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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详细参数

型号：
ULN2803APG(O,M)
功能描述：
达林顿晶体管 8-ch 500mA 50V 2.7 kOhm 5V CMOS
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	ULN2803APG,CN	Toshiba Semiconductor and Stor	2022+	18-DIP	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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