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UHB10FT	文件：138.7 Kbytes Page：5 Pages	Ultrafast Recovery Rectifier FEATURES •Oxideplanarchipjunction •Ultrafastrecoverytimes •Softrecoverycharacteristics •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
UHB10FT	文件：129.449 Kbytes Page：5 Pages	Ultrafast Recovery Rectifier FEATURES •Oxideplanarchipjunction •Ultrafastrecoverytimes •Softrecoverycharacteristics •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-22	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
UHB10FT-E3/4W	文件：138.7 Kbytes Page：5 Pages	Ultrafast Recovery Rectifier FEATURES •Oxideplanarchipjunction •Ultrafastrecoverytimes •Softrecoverycharacteristics •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
UHB10FT-E3/8W	文件：138.7 Kbytes Page：5 Pages	Ultrafast Recovery Rectifier FEATURES •Oxideplanarchipjunction •Ultrafastrecoverytimes •Softrecoverycharacteristics •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
UHB10FT-E3SLASH4W	文件：138.7 Kbytes Page：5 Pages	Ultrafast Recovery Rectifier FEATURES •Oxideplanarchipjunction •Ultrafastrecoverytimes •Softrecoverycharacteristics •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
UHB10FT-E3SLASH8W	文件：138.7 Kbytes Page：5 Pages	Ultrafast Recovery Rectifier FEATURES •Oxideplanarchipjunction •Ultrafastrecoverytimes •Softrecoverycharacteristics •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
UHB10FT-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
UHB10FT-E3/8W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 300V 10A D2PAK	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
UHB10FT
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Ultrafast Recovery Rectifier

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