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UHB10FT-E3/8W

Ultrafast Recovery Rectifier

FEATURES • Oxide planar chip junction • Ultrafast recovery times • Soft recovery characteristics • Low switching losses, high efficiency • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220

文件:138.7 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

UHB10FT-E3/8W

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 300V 10A D2PAK

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

UHE4913G-AE3-R

UTC
SOT23

UHE4913G-AE3-R

UTC(友顺)
SOT-23-3L

UTC(友顺)

上传:深圳广友电子有限公司

UTC(友顺)

UHV1V331MPD

NICHICON
DIP

nichicon

尼吉康

上传:深圳市近平电子有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    UHB10FT-E3/8W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    10A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    TO-263AB(D²PAK)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 300V 10A D2PAK

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更多UHB10FT-E3/8W供应商 更新时间2025-10-11 11:04:00