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UH4PDCHM3/86A	文件：112.04 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Oxide planar chip junction • Ultrafast recovery times for high frequency • Low forward voltage drop, low power loss • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified • 文件：112.04 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
UH4PDCHM3/87A	文件：112.04 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Oxide planar chip junction • Ultrafast recovery times for high frequency • Low forward voltage drop, low power loss • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified • 文件：112.04 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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UH4PDCHM3SLASH87A	文件：112.04 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Oxide planar chip junction • Ultrafast recovery times for high frequency • Low forward voltage drop, low power loss • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified • 文件：112.04 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
UH4PDC-M3/86A	文件：112.04 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Oxide planar chip junction • Ultrafast recovery times for high frequency • Low forward voltage drop, low power loss • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified • 文件：112.04 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
UH4PDC-M3/87A	文件：112.04 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Oxide planar chip junction • Ultrafast recovery times for high frequency • Low forward voltage drop, low power loss • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified • 文件：112.04 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
UH4PDC-M3SLASH86A	文件：112.04 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Oxide planar chip junction • Ultrafast recovery times for high frequency • Low forward voltage drop, low power loss • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified • 文件：112.04 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
UH4PDC-M3SLASH87A	文件：112.04 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Oxide planar chip junction • Ultrafast recovery times for high frequency • Low forward voltage drop, low power loss • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified • 文件：112.04 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
UH4PDCHM3-86A	文件：100.51 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers 文件：100.51 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
UH4PDCHM3-87A	文件：100.51 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Ultrafast Rectifiers 文件：100.51 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

技术参数

二极管类型：
标准
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）：
200V
电流 - 平均整流（Io）（每二极管）：
2A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf：
1.05V @ 2A
速度：
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间（trr）：
25ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：
5µA @ 200V
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-277，3-PowerDFN
供应商器件封装：
TO-277A（SMPC）

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更多UH4PDC供应商更新时间2025-12-1 19:22:00

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