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UGB8JTHE3_A/I

High Voltage Ultrafast Rectifier

文件:142.81 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

UGB8JTHE3_A/P

High Voltage Ultrafast Rectifier

文件:142.81 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

UGB8JT

Superfast Recovery Rectifiers

Diotec

德欧泰克

UGB8JT-E3/81

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

UGB8JTHE3_A/I

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

UGB8JTHE3_A/P

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

技术参数

  • Package:

    TO-263AB/D2PAK

  • VRRM:

    600 V

  • IFAV:

    8.00 A

  • trr:

    35 ns

  • Tjmax:

    150 °C

  • IFSM:

    112.00 A

  • VF:

    1.75 V

  • IF:

    8.00 A

  • IR:

    5.000 µA

  • Cj:

    pF

  • VR:

    V

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SOT-263
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更多UGB8JT供应商 更新时间2025-10-4 9:04:00