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UGB8AT

Ultrafast Rectifier

FEATURES •Powerpack •Glasspassivatedpelletchipjunction •Ultrafastrecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip275°Cmax.,10sperJESD22-B10

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

UGB8AT

Superfast Efficient SMD Rectifier Diodes

DiotecDiotec Semiconductor

德欧泰克

UGB8AT

ULTRAFAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER

GE

GE Industrial Company

UGB8AT

Superfast Recovery Rectifiers;

DiotecDiotec Semiconductor

德欧泰克

UGB8AT_12

Superfast Efficient Rectifiers - Single Diode

DiotecDiotec Semiconductor

德欧泰克

UGB8AT-E3/81

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

ETC

ETC

UGB8ATHE3_A/I

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

ETC

ETC

UGB8ATHE3_A/P

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

ETC

ETC

技术参数

  • Package:

    TO-263AB/D2PAK

  • VRRM:

    50 V

  • IFAV:

    8.00 A

  • trr:

    25 ns

  • Tjmax:

    150 °C

  • IFSM:

    112.00 A

  • VF:

    1.00 V

  • IF:

    8.00 A

  • IR:

    5.000 µA

  • Cj:

    pF

  • VR:

    V

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GE
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NA
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TO-263AB
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更多UGB8AT供应商 更新时间2025-7-29 17:41:00