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UGB8AT	文件：143.26 Kbytes Page：5 Pages	Ultrafast Rectifier FEATURES • Power pack • Glass passivated pellet chip junction • Ultrafast recovery time • Low switching losses, high efficiency • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 275 °C max., 10 s per JESD 22-B10 文件：143.26 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
UGB8AT	文件：321.27 Kbytes Page：2 Pages	Ultrafast Efficient Rectifier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop · Low Leakage Current · Ultrafast Recovery Time APPLICATIONS · PFC · AC/DC Section of SMPS · Choppers Motor Drives 文件：321.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
UGB8AT	文件：162.18 Kbytes Page：2 Pages	Superfast Efficient SMD Rectifier Diodes 文件：162.18 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
UGB8AT	文件：39.38 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER 文件：39.38 Kbytes 页数：2 Pages	GE	GE
UGB8AT_12	文件：123.7 Kbytes Page：2 Pages	Superfast Efficient Rectifiers - Single Diode 文件：123.7 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
UGB8AT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Superfast Recovery Rectifiers	Diotec 德欧泰克	Diotec
UGB8ATHE3/45	文件：300 bytes Page：1 Pages	整流器 8.0A 50 Volt 20ns 150 Amp IFSM	Vishay 威世	Vishay
UGB8AT-E3/81	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
UGB8ATHE3_A/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
UGB8ATHE3_A/P	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

技术参数

Package：
TO-263AB/D2PAK
VRRM：
50 V
IFAV：
8.00 A
trr：
25 ns
Tjmax：
150 °C
IFSM：
112.00 A
VF：
1.00 V
IF：
8.00 A
IR：
5.000 µA
Cj：
pF
VR：
V

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