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VI-B1001-CW	文件：533.98 Kbytes Page：2 Pages	50-200WPCBMOUNTINGCOMPONENETS Features •Inputs:10to400VDC •Output,1to95VDC •UL,CSA,TÜV,VDE,BABT,CF •80–90efficiency(typical) •ZCSpowerarchitecture •LownoiseFMcontrol •Boosterversionsavailableforexpandedpower	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
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VI-B1001-EX	文件：533.98 Kbytes Page：2 Pages	50-200WPCBMOUNTINGCOMPONENETS Features •Inputs:10to400VDC •Output,1to95VDC •UL,CSA,TÜV,VDE,BABT,CF •80–90efficiency(typical) •ZCSpowerarchitecture •LownoiseFMcontrol •Boosterversionsavailableforexpandedpower	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
VI-B1001-IW	文件：533.98 Kbytes Page：2 Pages	50-200WPCBMOUNTINGCOMPONENETS Features •Inputs:10to400VDC •Output,1to95VDC •UL,CSA,TÜV,VDE,BABT,CF •80–90efficiency(typical) •ZCSpowerarchitecture •LownoiseFMcontrol •Boosterversionsavailableforexpandedpower	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
VI-B1001-IX	文件：533.98 Kbytes Page：2 Pages	50-200WPCBMOUNTINGCOMPONENETS Features •Inputs:10to400VDC •Output,1to95VDC •UL,CSA,TÜV,VDE,BABT,CF •80–90efficiency(typical) •ZCSpowerarchitecture •LownoiseFMcontrol •Boosterversionsavailableforexpandedpower	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
VQ1001J	文件：38.25 Kbytes Page：4 Pages	QuadN-Channel30-V(D-S)MOSFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VQ1001J	文件：51.61 Kbytes Page：5 Pages	QuadN-Channel30-V(D-S)MOSFETs features LowOn-Resistance:0.85 LowThreshold:1.4V LowInputCapacitance:38pF FastSwitchingSpeed:9ns LowInputandOutputLeakage benefits LowOffsetVoltage Low-VoltageOperation EasilyDrivenWithoutBuffer High-SpeedCircuits LowErrorVoltage appl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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产品属性

产品编号：
UG1001-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UG1001-T供应商更新时间2025-7-28 14:39:00

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