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UFT150-28

RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

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ASI

UFT150-28

RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

ASI Semiconductor

ASI Semiconductor

VFT150-28

VHF POWER MOSFET Channel Enhancement Mode

DESCRIPTION: The VFT150-28 is a gold metallized N-Channel enhancement mode MOSFET, intended for use in 28 VDC large signal applications to 175 MHz. FEATURES: • PG = 10 dB Typical at 175 MHz • No thermal Runaway • Omnigold™ Metalization System • Class-A or AB

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ASI

VFT150-28

VHF POWER MOSFET

文件:42.77 Kbytes 页数:2 Pages

ASI

VMB150-28

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI VMB150-28 is Designed for FEATURES: • Omnigold™ Metalization System

文件:17.38 Kbytes 页数:1 Pages

ASI

详细参数

  • 型号:

    UFT150-28

  • 制造商:

    ASI

  • 制造商全称:

    ASI

  • 功能描述:

    RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

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更多UFT150-28供应商 更新时间2026-4-18 14:30:00